分光エリプソメーター
高速分光エリプソメーター M-2000 シリーズ
高速分光エリプソメーター M-2000U
| J.A.Woollam Co., Inc. 製 M-2000U は, 測定波長:245 nm ~ 1000 nmをカバーしており. 誘電体, ポリマー, 半導体, 金属などの広範なアプリケーションに対応可能です. 半導体の電子分極領域の測定が可能なことから, 半導体多層膜の解析, 化合物半導体混晶比の測定など, 高度な測定が行えます. |
高速分光エリプソメーター M-2000V
| J.A.Woollam Co., Inc. 製 M-2000Vは, 測定波長:370 nm ~ 1000 nmに対応するQTHランプ光源を採用することで, コンパクトな光学系を実現しています. そのため, チャンバー搭載のIn-situ 測定などへ容易に発展できます. 誘電体やアモルファス半導体, ポリマーなどの可視領域の光学定数測定・膜厚測定に最適です. |
高速分光エリプソメーター M-2000D
| J.A.Woollam Co., Inc. 製 M-2000Dは, 深紫外193 nmから1000 nmの波長範囲を, 500チャンネルのCCD検出器でカバーします. 短波長領域に拡張されているM-2000Dは, リソグラフィーの波長 (193 nm,248 nm,365 nm) における光学定数測定に対応でき, 極薄膜に感度があることから, 半導体分野の様々なアプリケーションに対応可能です. |
高速分光エリプソメーター M-2000F
| J.A.Woollam Co., Inc. 製 集光ビーム仕様のM-2000Fは, 微小領域での測定が可能です. パターン付きのウエハー, ハードディスクのスライダーヘッド, 曲面や球面レンズ表面薄膜などのアプリケーションに対応できます. |
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